Agencias / MonitorSur, Ciudad de México.- Con el paso del tiempo, además de las mejoras en las prestaciones fotográficas, entre otros aspectos, los dispositivos móviles también han ido ganando en capacidad de almacenamiento interno, llegando a un punto de que incluso muchos modelos ya prescinden de ampliación de memoria externa mediante el uso de tarjetas microSD, aunque la situación va a ir a más.
Prueba de ello lo tenemos en el nuevo anuncio de Samsung, que ha señalado que ha comenzado a producir en serie su nuevo chip de almacenamiento de 1 TB de capacidad, llegando tan solo cuatro años después de que lanzará su chip de almacenamiento interno eUFS de 128 GB.
Con ello, Samsung no sólo ha logrado superar la barrera del terabyte de capacidad de almacenamiento, sino que además ha logrado que su nuevo chip de almacenamiento interno llegue a ser incluso más rápido que las actuales unidades SSD SATA de 2,5″ usado en ordenadores, llegando a doblar su velocidad de lectura secuencial.
Apunta además a que la velocidad de lectura aleatoria ha aumentado hasta un 38% con respecto a la versión de 512 GB, e incluso las escrituras aleatorias son hasta 500 veces más rápidas que en las tarjetas microSD de alto rendimiento.
Con ello, queda claro que podríamos ir olvidándonos de las expansiones por microSD de aquellos modelos que cuenten con este chip de almacenamiento interno. Samsung señala que su chip eUFS de 1 TB dobla la capacidad con respecto a la versión anterior, de 512 GB, al combinar 16 capas apiladas de memoria flash V-NAND más avanzada de 512 Gb (gigabits) de Samsung.
Esta memoria flash de 1TB también posee una velocidad excepcional, lo que permite a los usuarios transferir grandes cantidades de contenido multimedia en un tiempo significativamente reducido. Todo ello con una velocidad de hasta 1,000 MB/s, lo que significa que hablamos aproximadamente del doble de la velocidad de lectura secuencial de una unidad de estado sólido (SSD) SATA de 2,5 pulgadas.
Como resumen, las velocidades de esta nueva unidad flash serían las siguientes:
- Velocidad de lectura secuencial: 1000 MB/s.
- Velocidad de escritura secuencial: 260 MB/s.
- Velocidad de lectura aleatoria: 58 000 IOPS.
- Velocidad de escritura aleatoria: 50 000 IOPS.
Se rumorea que este nuevo chip podría aparecer en el nuevo Galaxy S10. Samsung se ha comprometido a fabricar unidades suficientes para atender la fuerte demanda anticipada del misma. Samsung no ha revelado el costo, pero mencionó que estas memorias estarán disponibles durante la primera mitad del año para los fabricantes.
